مواقيت الصلاه بحسب التوقيت المحلى لمدينة الرياض ليوم الأحد, 21 رمضان 1440 هجريا
الفجر
03:37 ص
الشروق
05:05 ص
الظهر
11:50 ص
العصر
03:13 م
المغرب
06:35 م
العشاء
08:05 م
درجات الحرارة و حالة الطقس,اوبن ويذر ماب
مدينة الرياض
27
درجات الحرارة و حالة الطقس,اوبن ويذر ماب
مدينة جدة
32
درجات الحرارة و حالة الطقس,اوبن ويذر ماب
مدينة مكة
35

سامسونج تبدأ إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية «10nm FinFET»

سامسونج تبدأ إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية «10nm FinFET»
0

تواصل – وكالات:

كشفت  شركة سامسونج عن بدء إنتاجها للجيل الثانى من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتى أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”.

فيما تقول الشركة إن الجيل الثانى من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% فى استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.

ووفقا لما نشره موقع gadgetsnow الهندى، فقد أطلقت سامسونج خط تصنيع جديد فى مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تتطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.

ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة فى صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكى المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربعة شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجابايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجابايت = 2 جيجابايت) لتقليل السُمك بنسبة 20٪ من شريحة الجيل الأخير.

أضف تعليق

التعليقات (٠)اضف تعليق

التعليقات مغلقة

المشاركة عبر
x